超低功率或者超高功率開關(guān)電源，并不象一般開關(guān)電源那樣容易選擇。目前常規(guī)的電感都是為一些主流設(shè)計(jì)所制造，并不能很好地滿足一些特殊設(shè)計(jì)。超高效率Buck電路的電感選擇問題。典型應(yīng)用實(shí)例就是小體積電池長時(shí)間供電設(shè)備。在這種電路中，讓工程師感到棘手的問題主要是電池容量(成本與體積)與Buck電路體積、效率之間的矛盾。為了減小開關(guān)電源的體積，最好選擇盡可能高的開關(guān)頻率。但是開關(guān)損耗以及輸出電感的損耗會(huì)隨著開關(guān)頻率的提高而增大，而且很有可能成為影響效率的主要因素，正是這些矛盾大大提高了電路設(shè)計(jì)的難度。

Buck電路的電感要求：對(duì)工程師而言，鐵磁性元件(電感)可能是最早接觸的非線性器件。但是根據(jù)制造商提供的數(shù)據(jù)，很難預(yù)測電感在高頻時(shí)的損耗。因?yàn)橹圃焐掏ǔＶ惶峁┲T如開路電感、工作電流、飽和電流、直流電阻以及自激頻率等參數(shù)。對(duì)于大部分開關(guān)電源設(shè)計(jì)來說，這些參數(shù)已經(jīng)足夠了，并且根據(jù)這些參數(shù)選擇合適的電感也非常容易。但是，對(duì)于超低電流、超高頻率開關(guān)電源來說，電感磁芯的非線性參數(shù)對(duì)頻率非常敏感，其次，頻率也決定了線圈損耗。

對(duì)于普通開關(guān)電源，相對(duì)于直流I2R損耗來說，磁芯損耗幾乎可以忽略不計(jì)。所以通常情況下，除了“自激頻率“這個(gè)與頻率有關(guān)的參數(shù)外，電感幾乎沒有其他與頻率相關(guān)的參數(shù)。但是，對(duì)于超低功率、超高頻率系統(tǒng)(電池供電設(shè)備)，這些高頻損耗(磁芯損耗和線圈損耗)通常會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于直流損耗。
磁性方向近似的鄰近磁針會(huì)互相影響，從而形成“聯(lián)盟”。雖然這些磁針由粘合材料包裹，物理上彼此獨(dú)立，但它們之間的磁場是相互關(guān)聯(lián)的。我們稱這些“聯(lián)盟”為“單元”。而單元的邊界就是內(nèi)部“聯(lián)盟”與外部磁針的分割面。在單元的邊界外的磁針比較難與邊界內(nèi)的“聯(lián)盟”聯(lián)合。我們稱這些邊界為“單元壁”，這個(gè)模型常用來解釋磁芯的許多基本參數(shù)。

在對(duì)磁芯施加磁場時(shí)(對(duì)線圈施加電流)，方向不同的單元相互之間相關(guān)聯(lián)。當(dāng)足夠強(qiáng)的電流形成外加磁場時(shí)，那些靠近線圈的單元所處的磁場更強(qiáng)，會(huì)首先形成聯(lián)合(更大的單元)。而此時(shí)處在深一層的單元還未受到磁場的影響。聯(lián)合起來的單元與未受到影響的單元之間的單元壁會(huì)在磁場的作用下，持續(xù)向磁芯中心移動(dòng)。如果線圈中的電流不撤銷或翻轉(zhuǎn)的話，整個(gè)磁芯都將會(huì)聯(lián)合在一起。整個(gè)磁芯的磁針聯(lián)合在一起，我們稱為“飽和”。電感制造商給出的B-H磁滯回線正表示磁芯從被磁化的初始階段到飽和階段的過程。如果將電流減弱，那么單元就會(huì)向自由的初始態(tài)轉(zhuǎn)變，但是有些單元會(huì)繼續(xù)保持聯(lián)合的狀態(tài)。這種不完全的轉(zhuǎn)化就是剩磁(可以在磁滯回線中看出)。這種剩磁現(xiàn)象就會(huì)在下一次單元結(jié)合時(shí)體現(xiàn)為應(yīng)力，導(dǎo)致磁芯損耗。

每個(gè)周期內(nèi)的磁滯損耗為：WH=mH×dI式中積分為磁滯回線中的包羅面積，磁芯從初始電感量到峰值電感量，再回到初始電感量的整個(gè)過程。而在開關(guān)頻率為F時(shí)的能量損耗為：PH=F×mH×dI計(jì)算這些交流損耗看起來似乎容易。但是在高頻、中等通流密度下，情況將異常復(fù)雜。每個(gè)電路都存在一些對(duì)磁芯損耗有影響的參數(shù)，而這些參數(shù)一般都很難量化。比如：離散電容、pcb布局、驅(qū)動(dòng)電壓、脈沖寬度、負(fù)載狀態(tài)、輸入輸出電壓等。不幸的是，磁芯損耗受這些參數(shù)影響很嚴(yán)重。

每個(gè)磁芯材料都有能導(dǎo)致?lián)p耗的非線性電導(dǎo)率。正是這個(gè)電導(dǎo)率，會(huì)由于外加磁場而在磁芯內(nèi)部誘發(fā)會(huì)產(chǎn)生損耗“渦電流”。在恒定磁通量下，磁芯損耗大致與頻率n次方成正比。其中指數(shù)n會(huì)隨磁芯材料以及制造工藝不同而不同。通常的電感制造商會(huì)通過磁芯損耗曲線擬合出經(jīng)驗(yàn)的近似公式。

電感參數(shù)磁感應(yīng)強(qiáng)度B在正激開關(guān)電路中可以由下式表示：Bpk=Eavg/(4×A×N×f)式中Bpk為尖峰交流通流密(Teslas);Eavg為每半周期平均交流電壓;A為磁芯橫截面積(平方米);N為線圈匝數(shù);f為頻率(赫茲)。

一般來講，磁性材料制造商會(huì)評(píng)估磁芯的額定電感系數(shù)-AL。通過AL可以很容易的計(jì)算出電感量。L=N2AL其中AL與磁性材料的摻雜度成正比，也與磁芯的橫截面積除以磁路長度成正比。磁芯的總損耗等于磁芯的體積乘以Bpk乘以頻率，單位為瓦特/立方米。其與制造材料與制造工藝息息相關(guān)。
磁芯損耗測試設(shè)備，測試電感性能的最有效方法就是將被測試電感放置在最終開關(guān)電源電路上，然后對(duì)此電路的效率進(jìn)行測量。但是，這種測試方法需要有最終電路，不易采用?，F(xiàn)在，有一種相對(duì)簡單的測試方法，可以在設(shè)計(jì)開關(guān)電源前對(duì)電感的磁芯損耗進(jìn)行測試(在其設(shè)定的開關(guān)頻點(diǎn)上)。首先，將磁芯串連放置在低損耗電容介質(zhì)上(比如鍍銀云母)。然后，用一系列共振模驅(qū)動(dòng)。其中介質(zhì)的電容值需要與被測電感的開關(guān)頻率一致。最后采用網(wǎng)絡(luò)分析儀來完成整個(gè)測試過程(信號(hào)發(fā)生器加上一個(gè)射頻伏特計(jì)或者功率計(jì)也可以完成測試)。

在諧振點(diǎn)，低損耗的磁芯可以看成L-C共振回路。此時(shí)損耗可以等效為一個(gè)純阻元件(包括線圈損耗和磁芯損耗)。在上面的測試設(shè)備中，端子A和R都連接著50Ω電阻。此設(shè)備的開路(不包括電感)等效為150Ω負(fù)載的振蕩器。在網(wǎng)絡(luò)分析儀上可以表示為：20×Log(A/R)=20×Log(50/150)=-9.54dB在這個(gè)測試電路中，諧振電容為2000pF，被測電感大概為2.5mH～2.8mH，測試頻率為1kHz。其中，磁性材料的滲透率是一個(gè)與頻率有關(guān)的非線性函數(shù)，在更高的頻點(diǎn)上，測試結(jié)果有可能不同。

磁芯損耗實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)：一個(gè)相對(duì)磁導(dǎo)率為125mr的單層鐵鎳鉬薄片磁芯，外圍纏繞10/44的多芯電線16匝，另一個(gè)雙層250摻雜度的鎳鐵鉬磁粉芯，外圍纏繞10/44的多芯電線8匝。電感量測試值分別為2.75mHy和2.78mHy。第一個(gè)電感雖然是16匝，但是橫截面積是第二個(gè)電感的一半。在相同振幅信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下，這兩個(gè)電感的損耗都很高。等效電阻分別為360Ω和300Ω。相對(duì)的，另一個(gè)電感(2.5mHy)采用Micrometals公司的非常低的摻雜材料(羰基T25-6，相對(duì)磁導(dǎo)率為8.5)。10/44多芯電線34匝。在同樣的驅(qū)動(dòng)信號(hào)下，他的等效損耗電阻為22000Ω。

對(duì)于低功耗開關(guān)電源的電感選取有許多特殊注意之處。對(duì)于低功耗、高效率的開關(guān)電源設(shè)計(jì)，一般的器件資料或者選型表提供的參數(shù)是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。通常的電感都是鐵氧體磁芯(非低損耗材料)，必將逐步在低功率、高效率的應(yīng)用中淘汰。一種相對(duì)簡單的電感損耗測試設(shè)備可以在設(shè)計(jì)的頻點(diǎn)測試電感的損耗，對(duì)比不同電感的性能。

當(dāng)設(shè)計(jì)需要選取低損耗電感時(shí)，應(yīng)選取低摻雜度材料來獲得低的磁場強(qiáng)度參數(shù)-B。并選擇低損耗的磁芯或考慮采用多芯電線。并且，最好采用芯片公司推薦的磁性元件，或者向?qū)I(yè)的磁材料專家請(qǐng)教，以便能夠滿足特定的需求。